МФТИ или СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Сравнение вузов

Какой вуз выбрать? МФТИ или СПбГЭТУ «ЛЭТИ»? Какой вуз лучше? Куда лучше поступать?

Московский Физико-Технический Институт (государственный университет)

МФТИ

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

СПбГЭТУ «ЛЭТИ»

Отдать голос
за МФТИ

Отдать голос
за СПбГЭТУ «ЛЭТИ»

Москва и Московская область

Санкт-Петербург и Ленинградская область

Государственный

Общежитие

1310
бюджетных мест

1796
бюджетных мест

39
образовательных программ

33
образовательных программ

INF
средневзвешенный проходной балл за предмет

Смотреть проходные баллы вуза

73.5
средневзвешенный проходной балл за предмет

Смотреть проходные баллы вуза

+2
допольнительных балла за медаль

+10
допольнительных балла за медаль

+2
допольнительных балла за волонтерство

+1
допольнительных балла за волонтерство

+2
допольнительных балла за ГТО

8.1 /10
Оценка на основе отзывов (4888 оценок)

8.1 /10
Оценка на основе отзывов (6510 оценок)

33.7%

16%

50.3%

Читать отзывы о вузе

45.7%

12.2%

42.1%

Читать отзывы о вузе

Общие направления подготовки

Информатика и вычислительная техника
Бакалавриат | 09.03.01

226
бюджетных мест

170
бюджетных мест

INF
Средневзвешенный проходной балл за предмет в этом вузе на это направление подготовки

82.8
Средневзвешенный проходной балл за предмет в этом вузе на это направление подготовки

7
образовательных программ

3
образовательных программ

набор ЕГЭ

РЯ

Русский язык

или

РЯ

Русский язык

Математика

Физика

или

РЯ

Русский язык

Математика

ИКТ

или

РЯ

Русский язык

Математика

ИКТ

Физика

набор ЕГЭ

РЯ

Русский язык

Математика

ИКТ

Очно

Заочно

Вечер.

Очно

Заочно

Вечер.

Подробнее

Компьютерная безопасность
Специалитет | 10.05.01

12
бюджетных мест

72
бюджетных мест

93.3
Средневзвешенный проходной балл за предмет в этом вузе на это направление подготовки

80
Средневзвешенный проходной балл за предмет в этом вузе на это направление подготовки

1
образовательных программ

набор ЕГЭ

РЯ

Русский язык

Математика

Физика

набор ЕГЭ

РЯ

Русский язык

Математика

ИКТ

Очно

Заочно

Вечер.

Очно

Заочно

Вечер.

Подробнее

Прикладная математика и информатика
Бакалавриат | 01.03.02

190
бюджетных мест

100
бюджетных мест

101
Средневзвешенный проходной балл за предмет в этом вузе на это направление подготовки

86.3
Средневзвешенный проходной балл за предмет в этом вузе на это направление подготовки

4
образовательных программ

1
образовательных программ

набор ЕГЭ

РЯ

Русский язык

Математика

ИКТ

набор ЕГЭ

РЯ

Русский язык

Математика

ИКТ

Очно

Заочно

Вечер.

Очно

Заочно

Вечер.

Подробнее

Программная инженерия
Бакалавриат | 09.03.04

79
бюджетных мест

68
бюджетных мест

99.7
Средневзвешенный проходной балл за предмет в этом вузе на это направление подготовки

90.3
Средневзвешенный проходной балл за предмет в этом вузе на это направление подготовки

1
образовательных программ

набор ЕГЭ

РЯ

Русский язык

Математика

ИКТ

набор ЕГЭ

РЯ

Русский язык

Математика

Физика

Очно

Заочно

Вечер.

Очно

Заочно

Вечер.

Подробнее

Системный анализ и управление
Бакалавриат | 27.03.03

15
бюджетных мест

20
бюджетных мест

100.3
Средневзвешенный проходной балл за предмет в этом вузе на это направление подготовки

80.3
Средневзвешенный проходной балл за предмет в этом вузе на это направление подготовки

2
образовательных программ

1
образовательных программ

набор ЕГЭ

РЯ

Русский язык

Математика

Физика

или

РЯ

Русский язык

Математика

ИКТ

набор ЕГЭ

РЯ

Русский язык

Математика

ИКТ

Очно

Заочно

Вечер.

Очно

Заочно

Вечер.

Подробнее

Электроника и наноэлектроника
Бакалавриат | 11.03.04

32
бюджетных мест

378
бюджетных мест

94
Средневзвешенный проходной балл за предмет в этом вузе на это направление подготовки

64.4
Средневзвешенный проходной балл за предмет в этом вузе на это направление подготовки

1
образовательных программ

4
образовательных программ

набор ЕГЭ

РЯ

Русский язык

Математика

Физика

набор ЕГЭ

РЯ

Русский язык

Математика

Физика

Очно

Заочно

Вечер.

Очно

Заочно

Вечер.

Подробнее