Вход

Энгельсский технологический институт СГТУ им. Ю.А. Гагарина

Энгельсский технологический институт (филиал) Саратовского государственного технического университета им. Ю.А.Гагарина


Саратовская область
Гос.вуз
Филиал

Энгельсский технологический институт СГТУ им. Ю.А. Гагарина

Энгельсский технологический институт (филиал) Саратовского государственного технического университета им. Ю.А.Гагарина

Проходные баллы в Энгельсский технологический институт СГТУ им. Ю.А. Гагарина

Показать только с
бюджетными местами

0

Любой набор ЕГЭ и экзаменов
Выбрать набор ЕГЭ и экзаменов

Поиск по названию

Пожалуйста, подождите. Идет загрузка...
Информатика и вычислительная техника
Бакалавриат | 09.03.01
Профиль: Программное обеспечение средств вычислительной техники и автоматизированных систем
Вуз: Энгельсский технологический институт СГТУ им. Ю.А. Гагарина | Энгельсский технологический институт (филиал) Саратовского государственного технического университета им. Ю.А.Гагарина
Подразделение:
Набор экзаменов:
РЯ
Обязательный ЕГЭ:
Русский язык
M
Обязательный ЕГЭ:
Математика
ИКТ Ф
ЕГЭ на выбор:
ИКТ или Физика
Проходные баллы:
181
заоч.
Проходной балл на бюджет на заочную форму обучения в 2025 году
Программная инженерия
Бакалавриат | 09.03.04
Профиль: Управление разработкой программных проектов
Вуз: Энгельсский технологический институт СГТУ им. Ю.А. Гагарина | Энгельсский технологический институт (филиал) Саратовского государственного технического университета им. Ю.А.Гагарина
Подразделение:
Набор экзаменов:
РЯ
Обязательный ЕГЭ:
Русский язык
M
Обязательный ЕГЭ:
Математика
ИКТ Ф
ЕГЭ на выбор:
ИКТ или Физика
Проходные баллы:
178
очно
Проходной балл на бюджет на очную форму обучения в 2025 году
Технологические машины и оборудование
Бакалавриат | 15.03.02
Профиль: Оборудование химических и нефтегазовых производств
Вуз: Энгельсский технологический институт СГТУ им. Ю.А. Гагарина | Энгельсский технологический институт (филиал) Саратовского государственного технического университета им. Ю.А.Гагарина
Подразделение:
Набор экзаменов:
РЯ
Обязательный ЕГЭ:
Русский язык
M
Обязательный ЕГЭ:
Математика
ИКТ Х Ф
ЕГЭ на выбор:
ИКТ или Химия или Физика
Проходные баллы:
Нет
заоч.
Прием на эту программу осуществляется только на платной основе
Конструкторско-технологическое обеспечение машиностроительных производств
Бакалавриат | 15.03.05
Профиль: Технология машиностроения
Вуз: Энгельсский технологический институт СГТУ им. Ю.А. Гагарина | Энгельсский технологический институт (филиал) Саратовского государственного технического университета им. Ю.А.Гагарина
Подразделение:
Набор экзаменов:
РЯ
Обязательный ЕГЭ:
Русский язык
M
Обязательный ЕГЭ:
Математика
ИКТ Х Ф
ЕГЭ на выбор:
ИКТ или Химия или Физика
Проходные баллы:
151
очно
Проходной балл на бюджет на очную форму обучения в 2025 году
164
заоч.
Проходной балл на бюджет на заочную форму обучения в 2025 году
Химическая технология
Бакалавриат | 18.03.01
Профиль: Технология химических и нефтегазовых производств
Вуз: Энгельсский технологический институт СГТУ им. Ю.А. Гагарина | Энгельсский технологический институт (филиал) Саратовского государственного технического университета им. Ю.А.Гагарина
Подразделение:
Набор экзаменов:
РЯ
Обязательный ЕГЭ:
Русский язык
Х
Обязательный ЕГЭ:
Химия
M ИКТ Ф
ЕГЭ на выбор:
Математика или ИКТ или Физика
Проходные баллы:
135
очно
Проходной балл на бюджет на очную форму обучения в 2025 году
Нет
заоч.
Прием на эту программу осуществляется только на платной основе
Нефтегазовое дело
Бакалавриат | 21.03.01
Профиль: Эксплуатация и обслуживание технологических объектов нефтегазового производства
Вуз: Энгельсский технологический институт СГТУ им. Ю.А. Гагарина | Энгельсский технологический институт (филиал) Саратовского государственного технического университета им. Ю.А.Гагарина
Подразделение:
Набор экзаменов:
РЯ
Обязательный ЕГЭ:
Русский язык
M
Обязательный ЕГЭ:
Математика
ИКТ Г Х Ф
ЕГЭ на выбор:
ИКТ или География или Химия или Физика
Проходные баллы:
184
очно
Проходной балл на бюджет на очную форму обучения в 2025 году
Нет
вечер.
Прием на эту программу осуществляется только на платной основе
Технология изделий легкой промышленности
Бакалавриат | 29.03.01
Профиль: Технология швейных изделий
Вуз: Энгельсский технологический институт СГТУ им. Ю.А. Гагарина | Энгельсский технологический институт (филиал) Саратовского государственного технического университета им. Ю.А.Гагарина
Подразделение:
Набор экзаменов:
РЯ
Обязательный ЕГЭ:
Русский язык
M
Обязательный ЕГЭ:
Математика
ИКТ Х Ф
ЕГЭ на выбор:
ИКТ или Химия или Физика
Проходные баллы:
Нет
заоч.
Прием на эту программу осуществляется только на платной основе
Конструирование изделий легкой промышленности
Бакалавриат | 29.03.05
Профиль: Дизайн и конструирование швейных изделий
Вуз: Энгельсский технологический институт СГТУ им. Ю.А. Гагарина | Энгельсский технологический институт (филиал) Саратовского государственного технического университета им. Ю.А.Гагарина
Подразделение:
Набор экзаменов:
РЯ
Обязательный ЕГЭ:
Русский язык
M
Обязательный ЕГЭ:
Математика
ИКТ Х Ф
ЕГЭ на выбор:
ИКТ или Химия или Физика
Проходные баллы:
142
очно
Проходной балл на бюджет на очную форму обучения в 2025 году

Пожалуйста, подождите. Идет загрузка...
Аноним
48804
Вопрос: Здравствуйте, прошу поделиться опытом поступления. Моей мечтой было поступить в СпбГУ на химию, сдала егэ на 280 баллов, а в рейтинговом списке я на 150+ месте, всего мест около 40. В прошлом году у п...
Ответить
25 апреля в 10:00
ФУ при Правительстве РФ
FINrise — День открытых дверей Факультета экономики и бизнеса
Подробнее
11 апреля в 10:00
РОСБИОТЕХ
День открытых дверей Института промышленной безопасности и управления университета РОСБИОТЕХ
Подробнее
Аноним
48 804
Вопрос: Здравствуйте, прошу поделиться опытом поступления. Моей мечтой было поступить в СпбГУ на химию, сдала егэ на 280 баллов, а в рейтинговом списке я на 150+ месте, всего мест около 40. В прошлом году у п...
Ответить
25 апреля в 10:00
ФУ при Правительстве РФ
FINrise — День открытых дверей Факультета экономики и бизнеса
Подробнее
11 апреля в 10:00
РОСБИОТЕХ
День открытых дверей Института промышленной безопасности и управления университета РОСБИОТЕХ
Подробнее